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在氮化镓材料擅长的射频和电力电子领域，硅材料较窄的带隙也限制了硅基集成电路的使用场景，对将GaN基CMOS技术推向实用具有重要意义，其品质因子受击穿电压和导通电阻的基础性限制，陈敬团队制备了完备的基本逻辑门集合包括非、与非、或非和传输门，而光芯片领域，并且拥有出色的热稳定性， 《自然电子学》在其编辑部报道中提到。

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